關(guān)于碳化硅的幾個事件
1905年 第一次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅。
1907年 第一只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生。
1955年 理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長高品質(zhì)碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。
1958年 在波士頓召開第一次世界碳化硅會議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年首次采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長方法。
1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開始提供商品化的碳化硅基。